企业简介
北京卓锐微技术有限公司 main business:集成电路芯片及微机电系统芯片的设计、研发，销售自行研发产品；货物进出口、技术进出口。（该企业于2012年5月22日由内资企业变更为外商投资企业。依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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北京卓锐微技术有限公司的工商信息
- 110108009521128
- 91110108788622074R
- 开业
- 有限责任公司(中外合资)
- 2006-04-24
- 甄麗好
- 50 万元 人民币
- 2006-04-24 至 永久
- 北京市工商行政管理局
- 北京市海淀区中关村北二条13号44幢118房间
- 集成电路芯片及微机电系统芯片的设计、研发，销售自行研发产品；货物进出口、技术进出口。（该企业于2012年5月22日由内资企业变更为外商投资企业。依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动。
北京卓锐微技术有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205356683U | 一种麦克风及移动终端 | 2016.06.29 | 本实用新型的目的在于提供一种麦克风及移动终端，主要解决现有技术中存在的功耗大的问题。该麦克风包括：M |
| 2 | CN105764017A | 一种硅电容麦克风 | 2016.07.13 | 本发明提供了一种硅电容麦克风，其敏感结构与配套集成电路的频率特性曲线相配合；其中敏感结构在封装壳体中 |
| 3 | CN106608614A | MEMS结构的制造方法 | 2017.05.03 | 公开了一种MEMS结构的制造方法，包括：在基板的第一表面上形成第一牺牲层，基板还包括与第一表面相对的 |
| 4 | CN206024110U | 微机电系统电容器极板及硅电容麦克风 | 2017.03.15 | 公开了一种微机电系统电容器极板及硅电容麦克风。该微机电系统电容器极板上设有多个通孔，所述多个通孔包括 |
| 5 | CN206024108U | 微机电麦克风 | 2017.03.15 | 公开了一种微机电麦克风。该微机电麦克风包括：背极板、振膜、以及传感层，其中，所述背极板包括第一表面和 |
| 6 | CN206024109U | MEMS麦克风振膜及MEMS麦克风 | 2017.03.15 | 本实用新型涉及一种MEMS麦克风振膜及MEMS麦克风，MEMS麦克风振膜包括：膜片和子结构，所述子结 |
| 7 | CN106467289A | 晶圆结构及晶圆加工方法 | 2017.03.01 | 公开了一种晶圆结构及一种晶圆测试方法。所述晶圆结构用于形成多个管芯，包括：半导体衬底，所述半导体衬底 |
| 8 | CN205953494U | 晶圆结构 | 2017.02.15 | 一种晶圆结构，其包括多个芯片，所述芯片包括多个结构层，所述多个结构层中的至少一层上设有标记，所述标记 |
| 9 | CN205959969U | 晶圆结构 | 2017.02.15 | 公开了一种晶圆结构，所述晶圆结构用于形成多个管芯，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面 |
| 10 | CN105271102B | 一种基于掺杂多晶硅的微机械结构及其制备方法 | 2017.02.01 | 本发明提供了一种基于掺杂多晶硅的微机械结构及其制备方法，微机械结构包括基板层、中间层、掺杂多晶硅层和 |
| 11 | CN205647989U | MEMS结构 | 2016.10.12 | 公开了一种MEMS结构。所述MEMS结构包括：衬底；可动部件，所述可动部件位于所述衬底上；固定部件， |
| 12 | CN105992115A | 一种硅电容麦克风的电气连线结构及其电气连线方法 | 2016.10.05 | 本发明提供了一种硅电容麦克风的电气连线结构及其电气连接方法，所述电气连接结构包括衬底、非导电层和导电 |
| 13 | CN205545929U | MEMS结构 | 2016.08.31 | 公开了MEMS结构。所述MEMS结构包括：衬底；可动部件，所述可动部件位于所述衬底上；固定部件，所述 |
| 14 | CN205491151U | 一种麦克风及移动终端 | 2016.08.17 | 公开了一种麦克风及移动终端，主要解决现有技术中存在的功耗大的问题。该麦克风包括：MEMS传感器，用于 |
| 15 | CN205385604U | 一种麦克风阵列模组 | 2016.07.13 | 公开了一种麦克风阵列模组，主要解决现有的麦克风阵列在系统设计和使用上的困难。该麦克风阵列模组包括：呈 |
| 16 | CN105681990A | 一种硅电容麦克风 | 2016.06.15 | 本发明提供了一种硅电容麦克风，包括基板、振膜和背极，所述基板上设有一个声腔；所述振膜位于所述声腔上部 |
| 17 | CN105611474A | 一种硅电容麦克风 | 2016.05.25 | 本发明提供了一种硅电容麦克风，包括敏感结构及与其配套的集成电路，其中敏感结构的数目多于一个并分为两组 |
| 18 | CN205249483U | MEMS麦克风 | 2016.05.18 | 本实用新型公开了一种MEMS麦克风，包括：背极板；振膜，所述振膜和背极板间隔设置，所述振膜被配置为响 |
| 19 | CN105516871A | 一种扩大后腔的硅电容麦克风 | 2016.04.20 | 本发明提供了一种扩大后腔的硅电容麦克风，所述的硅电容麦克风包括：一块基板和一个外壳组成封装结构，封装 |
| 20 | CN105491492A | 一种自校准硅麦克风装置和校准方法 | 2016.04.13 | 本发明公开一种自校准硅麦克风装置和校准方法，该自校准方法包括：将一校准正弦电压施加在MEMS器件的偏 |
| 21 | CN102547520B | 电容式麦克风及其控制系统和控制方法 | 2016.04.06 | 本发明涉及一种电容式麦克风及其控制系统和控制方法。该麦克风包括：由两极板构成的接收声音信号的电容，输 |
| 22 | CN105450191A | 一种两线硅麦克风放大器 | 2016.03.30 | 本发明公开一种两线硅麦克风放大器，其具有四个端口，输入端和高压偏置端与硅麦克风器件接口相连，输出端和 |
| 23 | CN102457801B | 差分MEMS电容式麦克风及其制备方法 | 2016.03.23 | 本发明公开了一种差分MEMS电容式麦克风及其制备方法，其中电容式麦克风包括：衬底、背腔、上极板、下极 |
| 24 | CN205092944U | 麦克风 | 2016.03.16 | 公开了一种麦克风，包括：MEMS传感器，用于将声音信号转换为电信号；放大器，被配置为接收所述电信号, |
| 25 | CN105376683A | 一种可消除电荷泵噪声的硅麦克风放大器 | 2016.03.02 | 本发明公开一种可消除电荷泵噪声的硅麦克风放大器，包括：电荷泵，输入缓冲器，偏置缓冲器，偏置匹配模块， |
| 26 | CN205051874U | MEMS麦克风 | 2016.02.24 | 本实用新型公开了一种MEMS麦克风，包括：衬底；第一支撑层，设置于衬底上；振膜层，振膜层包括锚区和可 |
| 27 | CN205050806U | 晶圆结构 | 2016.02.24 | 公开了一种晶圆结构，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；多个管芯，所述多个管芯形成于所 |
| 28 | CN105323688A | 一种增大后腔的硅电容麦克风 | 2016.02.10 | 本发明提供一种增大后腔的硅电容麦克风，包括：基板和外壳，外壳罩设于基板形成封装结构；外壳上设置有声孔 |
| 29 | CN105322967A | 一种滤波器的实现方法和一种数字模拟转换器 | 2016.02.10 | 本发明公开一种滤波器系数的实现方法，包括以下步骤：获取所述滤波器对应的n个系数，对该n个系数进行归一 |
| 30 | CN105323687A | 一种多晶硅层上设置有突起的硅电容麦克风及其制备方法 | 2016.02.10 | 本发明提供了一种多晶硅层上设置有突起的硅电容麦克风及其制备方法，其中，在硅电容麦克风的基板上设置有1 |
| 31 | CN105271102A | 一种基于掺杂多晶硅的微机械结构及其制备方法 | 2016.01.27 | 本发明提供了一种基于掺杂多晶硅的微机械结构及其制备方法，微机械结构包括基板层、中间层、掺杂多晶硅层和 |
| 32 | CN105282671A | 一种可在高声压级下工作的硅电容麦克风 | 2016.01.27 | 本发明提供了一种可在高声压级下工作的硅电容麦克风，包括：外壳，该外壳上设置有进音孔；基板，该基板与外 |
| 33 | CN204948352U | MEMS麦克风及移动终端 | 2016.01.06 | 公开了一种MEMS麦克风，包括振膜、背极板以及锚区，其中，所述振膜和锚区通过贯通区域隔开，所述振膜通 |
| 34 | CN204948351U | MEMS麦克风及移动终端 | 2016.01.06 | 公开了一种MEMS麦克风，包括振膜、背极板以及所述振膜的锚区与背极板的之间的第一支撑层，其中，所述背 |
| 35 | CN204927246U | 晶圆测试装置 | 2015.12.30 | 公开了一种晶圆测试装置，包括用于承载待测晶圆的载物台，所述载物台包括多个吸气孔，用于通过真空吸力固定 |
| 36 | CN204929255U | 麦克风封装 | 2015.12.30 | 公开了一种麦克风封装，包括：壳体，所述壳体包括第一声孔，以及与第一声孔连通的凹槽；印刷电路板，所述印 |
| 37 | CN204857717U | 晶圆结构 | 2015.12.09 | 公开了一种晶圆结构，用于形成多个管芯，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面； |
| 38 | CN204836575U | MEMS麦克风组件、线控耳机以及移动通信装置 | 2015.12.02 | 公开了MEMS麦克风组件、线控耳机以及移动通信装置。所述MEMS麦克风组件包括：印刷电路板，所述印刷 |
| 39 | CN204834614U | 晶圆测试结构 | 2015.12.02 | 公开了一种晶圆测试结构，所述晶圆上包括阵列排布的管芯，所述管芯之间通过划片槽隔开，所述晶圆测试结构还 |
| 40 | CN204836578U | MEMS麦克风的振膜结构及MEMS麦克风 | 2015.12.02 | 公开了一种MEMS麦克风的振膜结构及MEMS麦克风。一种MEMS麦克风的振膜结构，其特征在于，包括： |
| 41 | CN204836576U | MEMS麦克风 | 2015.12.02 | 公开了一种MEMS麦克风，包括：基板，外壳，所述外壳和所述基板形成腔体，所述腔体包括适于接收声信号的 |
| 42 | CN105101031A | 麦克风的配置方法 | 2015.11.25 | 本发明提供一种麦克风的配置方法，用于设置麦克风的工作点的偏置电压，以获得期望的工作灵敏度，包括：进行 |
| 43 | CN204810547U | 麦克风安装组件 | 2015.11.25 | 公开了一种麦克风安装组件，包括：基板，所述基板的长度和宽度分别沿着第一和第二方向；以及位于基板的相对 |
| 44 | CN204761707U | 一种跑道形振膜及包含此跑道形振膜的MEMS麦克风 | 2015.11.11 | 本实用新型公开了一种跑道形振膜及包含此跑道形振膜的MEMS麦克风。其中，跑道形振膜的外边界所围成的图 |
| 45 | CN105025418A | 一种主动降噪控制器 | 2015.11.04 | 本发明公开一种主动降噪控制器，包括基板、硅麦克风、通过ASIC技术集成的ASIC芯片及外壳，其中：所 |
| 46 | CN204733381U | 一种集成的硅电容麦克风 | 2015.10.28 | 本实用新型提供了一种集成的硅电容麦克风，在所述硅电容麦克风气孔附近设置支撑，该支撑连接于一片密封柔性 |
| 47 | CN104977473A | 一种MEMS器件电容检测方法 | 2015.10.14 | 本发明公开一种MEMS器件电容检测方法，包括：提供一个或多个可变电容，每个可变电容包括两块平行的固定 |
| 48 | CN204697288U | 一种集成的硅电容麦克风装置 | 2015.10.07 | 本实用新型提供了一种集成的硅电容麦克风装置，包括外壳、声腔、基板、集成电路，以及一个或多个MEMS敏 |
| 49 | CN204697294U | 一种硅电容麦克风 | 2015.10.07 | 本实用新型提供了一种硅电容麦克风，其包括：基底；振膜，设置在所述基底的上方，该振膜边缘带有支撑梁结构 |
| 50 | CN204697293U | 一种硅电容麦克风 | 2015.10.07 | 本实用新型公开了一种硅电容麦克风，其包括基底、背极和振膜，其中该振膜上设有至少一个敏感单元，敏感单元 |
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